MOS管發(fā)熱嚴重的幾個因素

作者：黑金剛電容    發(fā)布時間：2023-10-17 20:53:34  訪問量：2732  來源：超級電容組

MOS管發(fā)熱嚴重的幾個因素

最近，老高解決不少關(guān)于MOS管做開關(guān)驅(qū)動方面的一些問題，尤其是有些主要做光伏產(chǎn)業(yè)電源驅(qū)動的客戶。MOS管是其電源驅(qū)動產(chǎn)品的核心部件之一，忽然覺得還是有必要總結(jié)一下MOS管發(fā)熱方面的問題。

做電源設(shè)計，或者做驅(qū)動方面的電路，難免要用到場效應管，也就是人們常說的MOS管。MOS管有很多種類，也有很多作用。做電源或者驅(qū)動的使用，當然就是用它的開關(guān)作用。

無論N型或者P型MOS管，其工作原理本質(zhì)是一樣的。MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性,不會發(fā)生像三極管做開關(guān)時的因基極電流引起的電荷存儲效應，因此在開關(guān)應用中，MOS管的開關(guān)速度應該比三極管快。

MOS管的工作原理

我們在開關(guān)電源中常用MOS管的漏極開路電路，如圖2漏極原封不動地接負載，叫開路漏極，開路漏極電路中不管負載接多高的電壓，都能夠接通和關(guān)斷負載電流。是理想的模擬開關(guān)器件。這就是MOS管做開關(guān)器件的原理。當然MOS管做開關(guān)使用的電路形式比較多了。

NMOS管的開路漏極電路

在開關(guān)電源應用方面，這種應用需要MOS管定期導通和關(guān)斷。比如，DC-DC電源中常用的基本降壓轉(zhuǎn)換器依賴兩個MOS管來執(zhí)行開關(guān)功能，這些開關(guān)交替在電感里存儲能量，然后把能量釋放給負載。我們常選擇數(shù)百kHz乃至1MHz以上的頻率，因為頻率越高，磁性元件可以更小更輕。在正常工作期間，MOS管只相當于一個導體。因此，我們電路或者電源設(shè)計人員最關(guān)心的是MOS的最小傳導損耗。

我們經(jīng)常看MOS管的PDF參數(shù)，MOS管制造商采用RDS(ON)參數(shù)來定義導通阻抗，對開關(guān)應用來說，RDS(ON)也是最重要的器件特性。數(shù)據(jù)手冊定義RDS(ON)與柵極(或驅(qū)動)電壓VGS以及流經(jīng)開關(guān)的電流有關(guān)，但對于充分的柵極驅(qū)動，RDS(ON)是一個相對靜態(tài)參數(shù)。一直處于導通的MOS管很容易發(fā)熱。另外，慢慢升高的結(jié)溫也會導致RDS(ON)的增加。MOS管數(shù)據(jù)手冊規(guī)定了熱阻抗參數(shù)，其定義為MOS管封裝的半導體結(jié)散熱能力。RθJC的最簡單的定義是結(jié)到管殼的熱阻抗。

1、發(fā)熱情況，有電路設(shè)計的問題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài),而不是在開關(guān)狀態(tài)。這也是導致MOS管發(fā)熱的一個原因。如果N-MOS做開關(guān)，G級電壓要比電源高幾V，才能完全導通，P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大，壓降增大，所以U*I也增大，損耗就意味著發(fā)熱。這是設(shè)計電路的最忌諱的錯誤。

2、頻率太高，主要是有時過分追求體積，導致頻率提高，MOS管上的損耗增大了，所以發(fā)熱也加大了。

3、沒有做好足夠的散熱設(shè)計，電流太高。MOS管標稱的電流值，一般需要良好的散熱才能達到。所以ID小于最大電流，也可能發(fā)熱嚴重，需要足夠的輔助散熱片。

4、MOS管的選型有誤，對功率判斷有誤，MOS管內(nèi)阻沒有充分考慮，導致開關(guān)阻抗增大

這是我最近在處理MOS管發(fā)熱問題時簡單總結(jié)的。其實這些問題也是老生常談的問題，做開關(guān)電源或者MOS管開關(guān)驅(qū)動這些知識應該是爛熟于心，當然有時還有其他方面的因素，主要就是以上幾種原因。

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